논문 및 연구활동 |
- 연구활동(주요논문)
-
[논문]
최연익, 김해미, 서현석, 윤준호, 조중열,
전력반도체소자에 적용되는 원통형 PN접합의 항복전압의 근사식 및 민감도
, 대한전기학회 논문지
, Vol.57
, No.12
, pp.2234
-2237
(Dec, 2008)
-
[논문]
Min-Koo Han, 최연익, Jae-Keun Oh, Min-Woo Ha,
A new junction termination method employing shallow trenches filled with oxide
, Electron Device Letters(IEEE)
, Vol.25
, pp.16
-18
(Jan, 2004)
-
[논문]
Min-Koo Han, 최연익, Jae-Keun Oh, Soo-Seong Kim, You-Sang Lee,
A new Lateral Anode Switched Thyristor(LAST) with current satruation and low turn-off time
, IEEE Electron Device Letters
, Vol.23
, No.7
, pp.413
-415
(Jul, 2002)
-
[논문]
S.K.Cung, J.C.Shin, S.Y.Han, 최연익,
An Analytical Model for Minimum Drift Region Length of SOIRESURF Diodes
, IEEE Electron Device Letters
, Vol.17
, No.1
, pp.22
-24
(Jan, 1996)
-
[논문]
최연익, S.N.Yoon, H.S.Kim, M.K.Han, S.D.Kim,
Breakdown voltage enhancement of the PN junction by self-aligned double diffusion process through a tapered SiO_2 implant mask
, IEEE Electron Device Letters
, Vol.16
, No.9
, pp.405
-407
(Sep, 1995)
- 국제학술논문지
-
[논문]
Sung-Hoon Park, 최연익, Chun-Hyung Cho, Hyungtak Kim, Jae-Gil Lee, Ho-Young Cha,
Diode Embedded AlGaN/GaN Heterojunction Field Effect Transistor
, JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
, Vol.16
, No.2
, pp.215
-220
(Apr, 2016)
-
[논문]
조중열, 서오권, 서현석, 정의혁, 최연익, 이병곤,
Effect of hydrogen in zinc oxide thin-film transistor grown by metal organic chemical vapor deposition
, Japanese Journal of Applied Physics
, Vol.46
, No.4B
, pp.2493
-2495
(Apr, 2007)
-
[논문]
Min-Koo Han, 최연익, Byung-Chul Jeon, In-Hwan Ji, Young-Hwan Choi,
A new protective circuit to improve short-circuit withstanding capability of a lateral emitter switched thyristor
, Japanese Journal of Applied Physics
, Vol.45
, No.4B
, pp.3317
-3320
(Apr, 2006)
-
[논문]
Min-Koo Han, 최연익, In-Hwan Ji, Soo-Seong Kim, Young-Hwan Choi,
Experimental study on improving unclamped inductive switching characteristics of the new power metal oxide semiconductor field effect transistor employing deep body contact
, Japanese Journal of Applied Physics
, Vol.45
, No.4B
, pp.3121
-3124
(Apr, 2006)
-
[논문]
MIn-Koo Han, 최연익, In-Hwan Ji, Soo-Seong Kim, Young-Hwan Choi,
A new emitter switched thyristor(EST) employing trench segmented p-base
, Microelectronics Journal
, Vol.37
, No.3
, pp.231
-235
(Mar, 2006)
-
[논문]
최연익, 문진우, 정상구,
Effect of aspect ratio on forward voltage drop in trench insulated gate bipolar transistor
, Solid State Electronics
, Vol.49
, pp.834
-837
(May, 2005)
-
[논문]
Min-Koo Han, 최연익, Byung-Chul Jeon, In-Hwan Ji, Soo-Seong Kim, Young-Hwan Choi,
A new protection circuit for high voltage current saturation of LEST
, Electron Device Letters(IEEE)
, Vol.26
, No.3
, pp.191
-193
(Mar, 2005)
-
[논문]
한민구, 최연익, 김수성, 오재근, 하민우,
The novel junction termination method employing shallow trench
, Physica Scripta
, No.1
, pp.120
-122
(Dec, 2004)
-
[논문]
한민구, 최연익, 김수성, 하민우,
Improvement of the short circuit immunity for the trench IGBT employing the curved p body junction and the wide cell pitch
, Physica Scripta
, No.1
, pp.73
-76
(Dec, 2004)
-
[논문]
한민구, 최연익, 오재근, 전병철,
Optimization of design parameters on maximum controllable current of the trench gate corrugated base base resistance controlled thyristior
, Physica Scripta
, No.1
, pp.142
-145
(Dec, 2004)
-
[논문]
한민구, 최연익, 전병철, 지인환,
A new protection circuit of emitter switched thyristor for short-circuit withstanding capability
, Physica Scripta
, No.1
, pp.117
-119
(Dec, 2004)
-
[논문]
한민구, 최연익, 오재근, 전병철, 하민우,
A new conductivity modulated LDMOSFET employing buried p region and p+ drain
, Japanese J. Applied Physics
, Vol.43
, No.10
, pp.6917
-6919
(Oct, 2004)
-
[논문]
Min-Koo Han, 최연익, Byung-Chul Jeon, In-Hwan Ji, Min-Woo Ha,
A new voltage between collector and emitter(VCE) sensing scheme for short-circuit withstanding capability of the insulated gate bipolar transistor
, Japanese J. Applied Physics
, Vol.43
, No.4B
, pp.1677
-1679
(Apr, 2004)
-
[논문]
Min-Koo Han, 최연익, Min-Woo Ha, Soo-Seong Kim,
Trench insulated gate bipolar transistor for the improved short-circuit capability employing curved junction and wide cell pitch
, Japanese J. Applied Physics
, Vol.43
, No.4B
, pp.1752
-1755
(Apr, 2004)
-
[논문]
Ji-Hoon Hong, 최연익,
Optimum design for minimum on-resistance of low voltage trench power MOSFET
, Microelectronic Journal
, Vol.35
, pp.287
-289
(Feb, 2004)
-
[논문]
Min-Koo Han, 최연익, Jae-Keun Oh, Min-Woo Ha,
A new junction termination method employing shallow trenches filled with oxide
, Electron Device Letters(IEEE)
, Vol.25
, pp.16
-18
(Jan, 2004)
-
[논문]
Min-Koo Han, 최연익, Byung-Chul Jeon, Min-Woo Ha,
ESD Degradation Analysis of Poly-Si N-type TFTs by Employing a Transmission Line Pulser Test
, Journal of the Korean Physical Society
, Vol.44
, No.1
, pp.172
-176
(Jan, 2004)
-
[논문]
정상구, 최연익, 최이권,
Breakdown voltage and on-resistance of multi-RESURF LDMOS
, Microelectronic Engineering
, Vol.34
, No.5
, pp.683
-686
(May, 2003)
-
[논문]
정상구, 최연익, 한상길,
An analytic model for breakdown voltage of gated diodes
, Microelectronic Engineering
, Vol.34
, No.5
, pp.525
-527
(May, 2003)
-
[논문]
송세원, 최연익,
Breakdown characteristics of a Zener diode with n+p+n-p+ structure
, J. of Korean Physical Society
, Vol.42
, No.2
(Feb, 2003)
-
[논문]
Min-Koo Han, 최연익, Byung-Chul Jeon, Jae-Keun Oh, Seung-Chul Lee,
Influence of Process Parameters on the Maximum Controllable Current of Corrugated BRT
, Physica Scripta
, No.1
, pp.223
-225
(Dec, 2002)
-
[논문]
최연익, Byung-Chul Jeon, Jae-Keun Oh, Min-Koo Han, Seung-Pil Choi,
A New Dual-Channel Emitter Switched Thyristior (DC-EST) Employing a Self_aligned Trenched Contact
, Physica Scripta
, No.1
, pp.238
-242
(Dec, 2002)
-
[논문]
M.-K. Han, 최연익, J.-K. Oh, S.-C. Lee,
A New Vertical Channel LDMOS
, Physica Scripta
, No.1
, pp.58
-60
(Dec, 2002)
-
[논문]
정상구, 김형우, 박일용, 최연익,
Breakdown voltage and on-resistance of the multi-resurf SOI LDMOSFET with recessed source
, Physica Scripta
, No.1
, pp.18
-21
(Nov, 2002)
-
[논문]
최연익, 김선호, 박일용, 정상구,
Analytical model of breakdown voltage and on-resistance for PN diodes with linearly doped epi layer
, Physica Scripta
, No.1
, pp.234
-237
(Nov, 2002)
-
[논문]
정상구, 김민수, 최연익,
Analysis of temperature behavior of the NPT-IGBT's characteristics
, Physica Scripta
, No.1
, pp.218
-222
(Oct, 2002)
-
[논문]
Min-Koo Han, 최연익, Jae-Keun Oh, Seung-Chul Lee, Soo-Sung Kim,
Cascading structure of LDMOS and LIGBT for increasing the forward biased safe operating area
, Solid-State Electronics
, Vol.46
, No.10
, pp.1553
-1556
(Oct, 2002)
-
[논문]
Min-Koo Han, 최연익, Jae-Keun Oh, Soo-Seong Kim, You-Sang Lee,
A new Lateral Anode Switched Thyristor(LAST) with current satruation and low turn-off time
, IEEE Electron Device Letters
, Vol.23
, No.7
, pp.413
-415
(Jul, 2002)
-
[논문]
정상구, 김민수, 최연익,
Temperature dependence of the NPT-IGBT's characteristics
, Journal of the Korean Physical Society
, Vol.39
, No.1
(Dec, 2001)
-
[논문]
정상구, 김선호, 최연익, 박일용,
Enhancement of breakdown voltage for SOI RESURF LDMOS employing a buried air structure
, Journal of the Korean Physical Society
, Vol.39
, No.1
(Dec, 2001)
-
[논문]
Min-Koo Han, 최연익, Byeong-Hoon Lee, Won-Oh Lee, You-Sang Lee,
Analysis of dual-gate LIGBT with gradual hole injection
, IEEE Trans.on Electron Devices
, Vol.48
, No.9
, pp.2154
-2160
(Sep, 2001)
-
[논문]
최연익, 이유상, 한민구,
Analytic models for the temperature dependence of the breakdown voltage of 6H- and 4H-SiC rectifiers
, J. of Korean Physical Society
, Vol.39
, No.1
, pp.20
-22
(Jul, 2001)
-
[논문]
최연익, 모선일, 박일용, 임한조, 정상구, 최진성, 한민구,
Numerical analysis on the LDMOS with a double epi-layer and trench electrodes
, Microelectronics Journal
, Vol.32
, No.5-6
, pp.497
-502
(May, 2001)
-
[논문]
최연익, S.-H. Kim, S.-J. Yoo, 정상구,
Numerical analysis of SOI LDMOS using a recessed source and a trench drain
, Microelectronics Journal
, Vol.31
, No.11-12
, pp.963
-967
(Dec, 2000)
-
[논문]
김형우, 최연익,
Linearly-graded surface-doped SOI LDMOSFET with recessed source
, Microelectronic Engineering
, Vol.46
, No.1
, pp.547
-554
(Feb, 2000)
-
[논문]
정상구, 박일용, 최연익, 정용성,
Temperature dependent effective ionization coefficient for Si
, Microelectronic Engineering
, Vol.46
, No.1
, pp.535
-540
(Jan, 2000)
-
[논문]
최연익, 김성룡, 양회윤,
A recessed source and trench drain SOI LDMOS for improvimg the ON characteristics
, Journal of Korean Physical Society
, Vol.35
, pp.825
-828
(Dec, 1999)
-
[논문]
모선일, 김경구, 김민수, 김상열, 김영태, 원영희, 최연익,
In-situ Monitoring of Anodic Oxidation of p-type Si(100) by Electrochemical Impedance Techniques in Nonaqueous and Aqueous Solutions
, Bulletin
, Vol.20
, No.9
, pp.1049
-1055
(Sep, 1999)
-
[논문]
M.K.Han, 최연익, B.H.Lee, D.S.Byeon, D.Y.Kim, J.H.Chun,
The seperated shorted-anode insulated gate bipolar transistor with the suppressed negative differential resistance regime
, Microelectronics Journal
, Vol.30
, No.6
, pp.571
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(Jun, 1999)
-
[논문]
M.K.Han, 최연익, B.H.Lee, D.S.Byeon, D.Y.Kim, J.K.Oh,
A dual-gate shorted-anode silicon-on-insulator lateral insulated gate bipolar transistor with floating ohmic contact contact for suppressing snapback and fast switching characteristics
, Microelectronics Journal
, Vol.30
, No.6
, pp.577
-581
(Jun, 1999)
-
[논문]
최연익, 박일용,
Analytic breakdown modeling for GaAs Schottky diodes
, Physica Scripta
, No.1
, pp.314
-317
(Apr, 1999)
-
[논문]
최연익, Hoie-Yoon Yang, Sung-Lyong Kim, 정상구, Min-Koo Han,
A low on-resistance SOI LDMOS with an elevated internal ring
, Physica Scripta
, No.1
, pp.303
-306
(Apr, 1999)
-
[논문]
최연익, 박일용,
Trench cathode TIGBT with improved latch-up characteristics
, Physica Scripta
, No.1
, pp.337
-340
(Apr, 1999)
-
[논문]
Min-Koo Han, 최연익, Byeong-Hoon Lee, Dae-Seok Byeon,
The maximum controllable current of emitter switched thyristors employing the segmented p-base
, Physica Scripta
, No.1
, pp.294
-296
(Mar, 1999)
-
[논문]
Min-Koo Han, 최연익, Dae-Seok Byeon, Doo-Young Kim,
A lateral trench-MOS bipolar-mode FET on silicon-on-insulator
, Physica Scripta
, No.1
, pp.307
-310
(Mar, 1999)
-
[논문]
최연익, B.H. Lee, D.S. Byeon, D.Y. Kim, J.H. Chun, Min-Koo Han,
An insulated gate bipolar transistor employing the plugged n+ anode
, Microelectronics Reliability
, Vol.39
, No.1
, pp.29
-33
(Jan, 1999)
-
[논문]
Min-Koo Han, 최연익, Byeong-Hoon Lee, Dae-Seok Byeon, Jung-Hoon Chun, Seong-Dong Kim, Won-Oh Lee,
A new gradual hole injection dual-gate LIGBT
, IEEE Electron Device Letters
, Vol.19
, No.12
, pp.490
-492
(Dec, 1998)
-
[논문]
최연익, Dae-Seok Byeon, Doo-Young Kim, 한민구,
A New Base Resistance-Controlled Thyristor Employing a Self-Aligned Corrugated P-Base
, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
, Vol.19
, No.12
, pp.493
-495
(Dec, 1998)
-
[논문]
최연익, You-Sang Lee, Byeong-Hoon Lee, Dae-Seok Byeon, Jae-Keun Oh, Seong-Dong Kim,
The temperature characteristics of the LDMOS, LIGBT, SINFET and IBT
, Journal of the Korean Physical Society
, Vol.33
, No.11
(Nov, 1998)
-
[논문]
최연익, 변대석, 양경, 한민구,
Optimum design of the field plate in the cylindrical p+n junction: analytical approach
, Solid-State Electronics(Pergamon Press)
, Vol.42
, No.9
, pp.1651
-1655
(Sep, 1998)
-
[논문]
한민구, 최연익, 박철민, 임무섭,
A Comparison of Poly Silicon and Titanium Polycide for FIeld Emission Tip
, Japanese Journal of Applied Physics
, Vol.37
, No.4A
, pp.2021
-2023
(Apr, 1998)
-
[논문]
한민구, 최연익, 김두영, 김성동,
Bipolar FET Hybrid-Mode Operation of Lateral SOI BMFET with Improved Current Gain
, Japanese Journal of Applied Physics
, Vol.37
, No.4A
, pp.1787
-1792
(Apr, 1998)
-
[논문]
조중열, 최연익, K.L. Wang, Kevin Alt, 김동명,
Observation of Resonances by individual energy levels in InGaAs/AlAs triple barrier resonant tunneling diodes
, Japanese Journal of Applied Physics
, Vol.37
, No.3
, pp.1654
-1656
(Mar, 1998)
-
[논문]
최연익, 변대석, 한민구,
The breakdown voltage of negative curvatured p+n diodes using using a SOI layer
, Solid State Electronics
, Vol.41
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, pp.787
-788
(May, 1997)
-
[논문]
최연익, 김두영, 변대석, 이병훈, 이원오, 한민구,
Dual-gate shorted anode SOI lateral insulated gate bipolar transistor suppressing the snap-back
, Japanese J. Applied Physics
, Vol.36
, No.3B
, pp.1663
-1666
(Mar, 1997)
-
[논문]
최연익, 김재형, 윤종만, 한민구,
Comparison of lateral IGBT and lateral emitter switched thyrister qitha partial buried oxide layer
, Physica Scripta
, Vol.69
, No.2
, pp.341
-344
(Feb, 1997)
-
[논문]
최연익, 김두용, 김성동, 임무섭, 한민구,
Effects of drift region doping on current characterics in SOI BMFET
, Physica Scripta
, Vol.69
, No.2
, pp.181
-184
(Feb, 1997)
-
[논문]
최연익, 정용성, 한승엽,
Closed-form analytical expressions for the breakdown voltage of GaAs paralled-plane p+n junction in <100>, <110> and <111> orientations
, Solid State Electronics
, Vol.39
, No.11
, pp.1678
-1680
(Dec, 1996)
-
[논문]
최연익, 김두용, 윤종만, 한민구,
Numerical analysis of a new vertical IGBT structure with reduced JFET effect
, Solid State Electronics
, Vol.39
, No.8
, pp.1179
-1183
(Aug, 1996)
-
[논문]
나종민, 신진철, 최연익, 한승엽,
An analytical model of the breakdown voltage and minimum epi layer length for RESURF pn diodes
, Solid State Electronics
(Aug, 1996)
-
[논문]
최연익, 변대석, 한민구,
6H-SiC 平面狀及圓柱狀pn+結擊穿電壓的分析
, Power Electronics
, Vol.30
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, pp.91
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(Aug, 1996)
-
[논문]
최연익, 변대석, 한민구,
Analytical solution of the breakdown voltage for 6H-silicon carbide p+n junction(150)
, Journal of Applied Physics(sci)
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(Mar, 1996)
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[논문]
최연익, 한민구, 윤정민,
A new power MOSFET with self-current limiting capability(150)
, Int. J.of Electronics(SCI)
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(Feb, 1996)
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[논문]
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A monolithic current limiting power MOSFET
, International Journal of Electronics
(Feb, 1996)
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[논문]
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An Analytical Model for Minimum Drift Region Length of SOIRESURF Diodes
, IEEE Electron Device Letters
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(Jan, 1996)
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[논문]
최연익, S.N.Yoon, H.S.Kim, M.K.Han, S.D.Kim,
Breakdown voltage enhancement of the PN junction by self-aligned double diffusion process through a tapered SiO_2 implant mask
, IEEE Electron Device Letters
, Vol.16
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-407
(Sep, 1995)
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[논문]
최연익, I.J.Kim, K.Yang, M.K.Han,
An analytic solution for breakdown voltage of cylindricaljunctions including the interface charge
, Solid State Electronics
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(May, 1995)
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[논문]
최연익, H.S.Kim, M.K.Han, S.D.Kim,
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[논문]
최연익, B.H.Lee, C.M.Yun, D.S.Byeon, M.K.Han,
A trench-gate silicon-on-insulator lateral insulated gate Bipolar Transistor with the p^+ cathode well
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(Feb, 1995)
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[논문]
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An Accurate on-Resistance Model for Low Voltage Vclmos Devices
, Perganon Press
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(Jan, 1995)
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[논문]
S.K.Chung, D.C.Yoo, 최연익,
An Analytical method for two-dimensional field distributionof a MOS structure with a finite field plate
, IEEE Trans.Electron Devices
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(Jan, 1995)
-
[논문]
최연익, S.K.Hwang, C.K.Kim, K.R.Lee,
A Power MOSFET design methodology considering epi parametervariations
, IEEE Trans.Semiconductor Manufacturing.
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(Nov, 1994)
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[논문]
최연익, I.J.Kim, M.K.Han, S.D.Kim,
Analytical expressions for the three-dimensional effect on the breakdown voltage of planar junctions in non-punchthrough cases...
, IEEE Trans.Electron Devices
, Vol.41
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(Sep, 1994)
-
[논문]
Sang-KooChung, T.H.Moon, 최연익,
Calculation of avalanche breakdown voltage of the InP P'Njunction
, Solid State Electronics
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(Jan, 1994)
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[논문]
최연익, B.H.Lee, C.M.Yun, H.S.Kim, M.K.Han,
Latch-Up suppressed insulted gate bipolar transistor by the deep p+ ion implantation under the n+ source
, Japanese J.Applied Physics,
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(Jan, 1994)
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[논문]
최연익, 조영호, 차승익, 한민구,
트렌치 주입구조를 갖는 수평형 IGBT
, 전기학회 논문지
, Vol.42
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(Dec, 1993)
-
[논문]
M.K.Han, 최연익, C.H.Oh, J. Jang, J.S.Park, S.K.Lee, Y.S.Kim,
Annealing effects of low pressure mercury and excimer laser ondegraded a-Si: H TFTs
, J.of Non-crystalline Solids
(Nov, 1993)
-
[논문]
최연익, B.R.Kang, S.I.Cha, S.N.Yoon, Y.H.Cho,
Increased Breakdown voltage of silicon-on-insulator Schottkydiodes
, Electronics Letters
(Jul, 1993)
- 국내학술논문지
-
[논문]
최연익, 김해미, 서현석, 윤준호, 조중열,
전력반도체소자에 적용되는 원통형 PN접합의 항복전압의 근사식 및 민감도
, 대한전기학회 논문지
, Vol.57
, No.12
, pp.2234
-2237
(Dec, 2008)
-
[논문]
조중열, 서오권, 서현석, 정의혁, 최연익,
MOCVD로 제작된 ZnO의 성장온도에 따른 특성변화
, 반도체 및 디스플레이 장비학회
, Vol.4
, No.4
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-4
(Dec, 2005)
-
[논문]
한민구, 최연익, 전병철, 하민우,
사이리스터 동작을 이용한 새로운 이중게이트 트랜지스터
, 전기학회논문지
, Vol.53C
, No.7
, pp.358
-363
(Jul, 2004)
-
[논문]
한민구, 최연익, 오재근, 하민우,
얕은 트렌치와 전계제한 확산링을 이용한 접합마감 설계의 1200 V급 소자에 적용
, 전기학회 논문지
, Vol.53C
, No.6
, pp.300
-303
(Jun, 2004)
-
[논문]
한민구, 최연익, 최승필, 하민우,
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, 전기학회 논문지 51C(5);pp.196-198 (2002)
, Vol.51C
, No.5
, pp.196
-198
(May, 2002)
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[논문]
한민구, 최연익, 오재근, 전병철,
최대제어가능전류가 향상된 Corrugated P-베이스 BRT의 공정변수에 따른 특성 변화
, 대한전기학회논문지
, Vol.50C
, No.2
, pp.57
-59
(Feb, 2001)
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[논문]
최연익, 윤상복,
Gated Diode의 항복전압에 관한 해석적 표현
, 전기학회 논문지 C
, Vol.49C
, No.5
, pp.299
-301
(May, 2000)
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[논문]
최연익, 박일용, 정상구,
실리콘 전력 MOSFET의 온도에 따른 항복전압 및 ON 저항
, 전기학회 논문지 C
, Vol.49C
, No.4
, pp.246
-248
(Apr, 2000)
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[논문]
최연익, 이유상, 한민구,
Sillcon Carbide 쇼트키 정류기의 모델링
, 대한전기학회지
, Vol.49
, No.2
(Feb, 2000)
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[논문]
한민구, 최연익, 김두영, 오재근,
푸로우팅 전극과 보조 게이트를 이용하여 스냅백을 없앤 애노드 단락 SOI LIGBT의 수치 해석
, 전기학회 논문집
, Vol.49C
, No.2
, pp.1
-1
(Feb, 2000)
-
[논문]
한민구, 최연익, 김두영, 김성동, 전정훈,
높은 전류 이득률을 갖는 SOI 수평형 혼성 BMFET
, 전기학회 논문지
, Vol.49C
, No.2
, pp.1
-1
(Feb, 2000)
-
[논문]
한민구, 최연익, 변대석, 이병훈, 이원오, 전정훈,
점진적인 홀의 주입을 통해 스냅백을 억제한 새로운 구조의 SA-LIGBT
, 전기학회 논문지
, Vol.49C
, No.2
, pp.1
-1
(Feb, 2000)
-
[논문]
한민구, 최연익, 이유상,
전류포화 특성을 갖는 새로운 이중게이트 수평형 사이리스터의 순방향 특성
, 전기학회 논문지
, Vol.48C
, No.12
, pp.773
-778
(Dec, 1999)
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[논문]
최연익, 김성용, 양회윤,
ON 저항이 작은 Recessed Source 구조 SOI LDMOS의 수치해석
, 대한전기학회지
, Vol.48C
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, pp.605
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(Sep, 1999)
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[논문]
한민구, 최연익, 변대석, 오재근,
세그먼트 p-베이스를 이용한 수평형 이중 채널 EST
, 전기학회 논문지
, Vol.48C
, No.7
, pp.530
-532
(Jul, 1999)
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[논문]
한민구, 최연익, 김두영, 변대석, 이병훈, 이유상,
자기정렬된 물결모양 P-베이스를 갖는 베이스 저항 제어 사이리스터의 소자 특성에 관한 연구
, 전기학회 논문지 C
, Vol.48C
, No.3
, pp.167
-172
(Mar, 1999)
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[논문]
한민구, 최연익, 김두영, 미병훈, 변대석, 전정훈,
분리된 단락 애노드를 이용한 수평형 SA-LIGBT의 순방향 전류-전압 특성연구
, 전기학회 논문지 C
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, No.3
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-166
(Mar, 1999)
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[논문]
최연익, 박일용,
N형 링을 이용하여 래치업을 억제시킨 LIGBT
, 전기학회 논문지
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(Dec, 1998)
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[논문]
최연익, 김두영, 한민구,
트렌치 게이트를 갖는 수평형 SOI 바이폴라 모드 전계 효과 트랜지스터
, 전기학회 논문지
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(Oct, 1998)
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[논문]
최연익,
전력반도체 소자의 항복전압 모형
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[논문]
최연익, 박일용,
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, 전기학회논문지
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(Aug, 1998)
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[논문]
최연익, 김성룡, 황규한,
융기된 내부링을 갖는 새로운 SOI LDMOS
, 전기학회 논문지
, Vol.47
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-1207
(Aug, 1998)
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[논문]
한민구, 최연익, 변대석, 이병훈,
자기정렬 Corrugated P-베이스 구조를 갖는 새로운 베이스 저항제어 다이리스터의 소자 특성연구
, 전기학회 논문지
, Vol.47
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-811
(Jun, 1998)
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[논문]
최연익, 김성동, 임무섭, 한민구,
Silicon on Insulator 바이폴라 모드 전계효과 트랜지스터의 고온특성 분석
, 전기학회 논문지
, Vol.47
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(Jun, 1998)
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[논문]
최연익, 변대석, 이병훈, 한민구,
스냅-백 현상이 억제된 새로운 구조의 Emitter Switched Thyristor
, 대한전기학회 논문지
, Vol.46
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(Nov, 1997)
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[논문]
최연익, 김두영, 윤종만, 한민구,
최대 제어가능 전류밀도가 향상된 새로운 수평형 Emitter Switched Thyristor
, 대한전기학회 논문지
, Vol.47
, No.7
, pp.1046
-1050
(Jul, 1997)
-
[논문]
최연익, 김두영, 변대석, 한민구,
자기정렬된 포켓이온주입을 이용한 티타늄 실리사이드 캐소드 접촉을 갖는 IGBT의 래치업 특성
, 대한전기학회 논문지
, Vol.46
, No.6
, pp.921
-928
(Jun, 1997)
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[논문]
최연익, 조중열, 황규한,
소자크기가 고정된 전력 MOSFET의 최적화
, 전기학회논문지
, Vol.46
, No.4
, pp.558
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(Apr, 1997)
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[논문]
정진영, 최연익, 한승엽,
SOI RESURF LDMOS 표면전계에 대한 해석적 표현(30)
, 대한전자공학회지
, Vol.45
, No.12
, pp.1735
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(Dec, 1996)
-
[논문]
정진영, 최연익, 한승엽,
이중 에피층을 갖는 Schottky 다이오드의 항복전압에 대한 해석적인 모델링(30)
, 전기학회논문지
, Vol.45
, No.12
, pp.1738
-1741
(Dec, 1996)
-
[논문]
한민구, 최연익, 박철민, 임무섭,
자체적으로 진공을 갖는 수평형 전계 방출 트라이오드(30)
, 대한전자공학회지
, Vol.33-A
, No.12
, pp.65
-71
(Dec, 1996)
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[논문]
최연익, 김성동, 김재형, 임무섭, 한민구,
Silicon On Insulator (SOI)기판을 이용한 bipolar-Mode Field-Effect Transistor(30)
, 전기학회 논문지
, Vol.45
, No.7
, pp.990
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(Jul, 1996)
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[논문]
최연익, 박일용,
펀치드루 다이오드의 평면형 항복전압에 대한 해석적인 모형(70)
, 전기학회 논문지
, Vol.45
, No.7
, pp.1061
-1063
(Jul, 1996)
-
[논문]
최연익, 김두영, 김한수, 한민구,
원통형 접합 펀치쓰루 다이오드의 항복전압에 대한 해석적 모델링(30)
, 전기학회 논문지
, Vol.45
, No.5
, pp.695
-700
(May, 1996)
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[논문]
최연익, 김성동, 한민구,
턴-오프 특성이 향상된 shorted anode 수평형 MOS제어 다이리스터(50)
, 전기학회 논문지
, Vol.45
, No.4
, pp.562
-567
(Apr, 1996)
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[논문]
최연익, 변대석, 양경, 한민구,
Analysis of the breakdown voltage in p'n nounction with field plate for optimum design(30)
, J.KIEE
, Vol.9
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, pp.24
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(Mar, 1996)
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[논문]
최연익, 김두영, 윤종만, 한민구,
자기정렬된 낮은 농도의 소오스를 갖는 트렌치 바디 구조의IGBT
, 전기학회 논문지
, Vol.45
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(Feb, 1996)
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[논문]
최연익, 김재형, 김한수, 한민구,
트렌치 구조의 Hybrid Schottky 인젝터를 갖는 SINFET
, 전기학회논문지
, Vol.45
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(Feb, 1996)
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[논문]
최연익, 나종민, 신진철, 한승엽,
RESURF 다이오드의 최소 에피층 길이에 대한 소고
, 전기학회논문지
, Vol.45
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(Jan, 1996)
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[논문]
최연익, 정용성,
GaAs PN 접합의 항복전압에 대한 해석적인 모형
, 전기학회논문지
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(Dec, 1995)
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[논문]
최연익, 김성동, 김한수, 한민구,
트렌치 측벽을 갖는 저 손실 쇼트키 정류기
, 전기학회논문지
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(Nov, 1995)
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[논문]
최연익, 윤종만, 한민구,
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, 전자공학회 논문지
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(Oct, 1995)
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[논문]
최연익, 변대석, 한민구,
SOI 웨이퍼의 시드 홀을 이용한 다이오드의 항복 전압과 온 저항 특성
, 전기학회논문지
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(Aug, 1995)
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[논문]
최연익, 변대석, 한민구,
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, 전기학회논문지
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[논문]
최연익, 윤종만, 한민구,
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, 전기학회논문지
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[논문]
최연익, 김두영, 이병훈, 한민구,
래치업 억제를 위한 세그먼트 N+ 버퍼층을 갖는 IGBT구조
, 전기학회논문지
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(Feb, 1995)
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[논문]
최연익, 김한수, 변대석, 한민구,
외부 부하를 이용한 플로오팅 Field Plate를 갖는 전력소자의 시뮬레이션
, 전기학회논문지
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(Feb, 1995)
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[논문]
최연익, 김성동, 김일중, 한민구,
Non-reachthrough 평면 접합의 항복전압에 대한 3차원 효과의 해석
, 전자공학회 논문지A
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[논문]
최연익, 김두영, 윤종만, 이병훈, 한민구,
향상된 Latch-up 특성을 갖는 트렌치 게이트 SOI LIGBT
, 전자공학회논문지A
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(Jan, 1995)
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[논문]
최연익, 김성동, 김수성, 김일중, 김한수, 한민구,
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, 전기학회논문지
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신진철, 최연익, 한승엽,
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[논문]
최연익, 변대석, 한민구,
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, 전기학회논문지
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[논문]
나경만, 최연익,
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[논문]
최연익, 조영호, 김성동, 김한수, 한민구,
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, 전기학회논문지
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(Apr, 1994)
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[논문]
최연익, 강병로, 윤석남, 조영호,
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, 전자공학회 논문지A
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(Jan, 1994)
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[논문]
최연익, 김성동, 김일중, 김한수, 한민구,
Quasi-saturation 영역이 포함된 전력 MOSFET의 SPICE 직류 파라미터 추출
, 전기학회논문지
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(Sep, 1993)
- 국제학술발표
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Effect of hydrogen in zinc oxide thin-film transistor grown by MOCVD
, Solid State Devices and Materials
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(Sep, 2006)
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[학술회의]
조중열, 서오권, 서현석, 정의혁, 최연익,
MOCVD grown zinc oxide thin-film transistor
, International Display Manufacturing Conference
, Vol.6
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(Aug, 2006)
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Min-Koo Han, 최연익, Byung-Chul Jeon, In-Hwan Ji, Young-Hwan Choi,
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, 2005 SSDM(International Conference on Solid State Devices and Materials)
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[학술회의]
Min-Koo Han, 최연익, In-Hwan Ji, Soo-Seong Kim, Young-Hwan Choi,
Experimental study on improving unclamped inductive switching characteristics of the new power MOSFET employing deep body contact
, 2005 SSDM(International Conference on Solid State Devices and Materials)
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(Sep, 2005)
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[학술회의]
Min-Koo Han, 최연익, Kwang-Seok Seo, Min-Woo Ha, Seung-Chul Lee,
A new annealing method for switching AlGaN/GaN HFETs employing excimer laser
, 21th Nordic Semiconductor Meeting(NSM)
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(Aug, 2005)
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[학술회의]
Min-Koo Han, 최연익, In-Hwan Ji, Soo-Seong Kim, Young-Hwan Choi,
Experimental study on short-circuit characteristics of the new protection circuit of IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)
, 21th Nordic Semiconductor Meeting(NSM)
, Vol.21
, No.1
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(Aug, 2005)
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[학술회의]
Min-Koo Han, 최연익, Byung-Chul Jeon, Min-Woo Ha, Soo-Seong Kim,
A new trench IGBT employing floating PN junction
, 7th International Seminar on Power Semiconductors(ISPS)
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(Aug, 2004)
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[학술회의]
Min-Koo Han, 최연익, Jae-Keun Oh, Min-Woo Ha, Young-Hwan Choi,
A new LIGBT employing a trench gate for improved latch-up capability
, 7th International Seminar on Power Semiconductors(ISPS)
, Vol.7
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(Aug, 2004)
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[학술회의]
Min-Koo Han, 최연익, Byung-Chul Jeon, In-Hwan Ji,
A new EST employing trench segmented p-base
, International Seminar on Power Semiconductors(ISPS)
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(Aug, 2004)
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[학술회의]
Min-Koo Han, 최연익, Min-Woo Ha, Seung-Chul Lee, Soo-Seong Kim,
A new non punch-through IGBT employing a separated shorted-anode
, 7th International Seminar on Power Semiconductors(ISPS)
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(Aug, 2004)
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[학술회의]
Min-Koo Han, 최연익, Jae-Keun Oh, Min-Woo Ha, Soo-Seong Kim,
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, 7th International Seminar on Power Semiconductors(ISPS)
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Min-Koo Han, 최연익, Byung-Chul Jeon, In-Hwan Ji, Seung-Chul Lee, Soo-Seong Kim,
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Min-Koo Han, 최연익, Jin-Cherl Her, Kwang-Seok Seo, Min-Woo Ha, Seung-Chul Lee, Soo-Seong Kim,
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, ISPSD'04
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Min-Koo Han, 최연익, Byung-Chul Jeon, Jae-Keun Oh,
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Buried air gap structure for improving the breakdown voltage of SOI power devices
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M.K.Han, 최연익, B.C.Jun, M.W.Ha, S.S.Kim, Y.S.Lee,
I-V characteristics of lateral conductivity modulated thyristor(LCMT) at elevated temperature
, ISPS(6th International Seminar on Power Semiconductors)
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[학술회의]
정상구, 송세원, 최연익,
Cell-type Zener diode with optimum cell spacing
, 11th Seoul International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications
, Vol.2002
, pp.125
-126
(Aug, 2002)
-
[학술회의]
Min-Koo Han, 최연익, Jae-Keun Oh, Kwang-Seok Seo, Min-Woo Ha,
A new junction termination in power semiconductor devices employing trench
, AWAD2002(2002 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devic
, Vol.1
, pp.57
-60
(Jul, 2002)
-
[학술회의]
Min-Koo Han, 최연익, Jae-Keun Oh, Soo-Seung Kim, You-Sang Lee,
A new lateral conductivity modulated thyristor with current saturation and low turn-off time
, ISPSD(International Symposium on Power Semiconductor Devices)
, pp.113
-116
(Jun, 2002)
-
[학술회의]
Jin-Woo Moon, 최연익,
Improved trench MOS Barrier Schottky(TMBS) rectifier
, 23rd International Conference on Microelectronics(MIEL'2002)
, Vol.1
, pp.189
-192
(May, 2002)
-
[학술회의]
정상구, 김민수, 김형우, 최연익,
Excess carrier density and forward voltage drop in trench IGBT(TIGBT)
, 23rd International Conference on Microelectronics
, pp.185
-188
(May, 2002)
-
[학술회의]
정상구, 문진우, 최연익,
Improved Trench MOS Barrier Schottky(TMBS) Rectifier
, 23rd International Conference on Microelectronics
, pp.189
-192
(May, 2002)
-
[학술회의]
정상구, 최연익, 강영수, 김형우,
Trench emitter IGBT with lateral and vertical MOS channels
, 23rd International Confernce on Microelectronics
, pp.163
-166
(May, 2002)
-
[학술회의]
Hyoung-Woo Kim, Young-Soo Kang, 최연익,
Trench emitter IGBT with lateral and vertical MOS channels
, 23rd International Conference on Microelectronics(MIEL'2002)
, Vol.1
, pp.163
-166
(May, 2002)
-
[학술회의]
Hyoung-Woo Kim, Min-Soo Kim, 최연익,
Excess carrier density and forward voltage drop in Trench Insulated Gate Bipolar Transistor(TIGBT)
, 23rd International Conference on Microelectronics(MIEL'2002)
, Vol.1
, pp.185
-188
(May, 2002)
-
[학술회의]
한민구, 최연익, 김수성, 오재근, 이승철,
Cascading structure of LDMOS and LIGBT for increasing the forward biased safe operating area(FBSOA)
, 2001 ISDRS(International Semiconductor Device Research Symposium)
, Vol.1
, No.1
, pp.138
-140
(Dec, 2001)
-
[학술회의]
M.K. Han, 최연익, B.C. Jeon, S,P. Choi, W.O. Lee,
A new trench SSA-LIGBT on SOI substrate
, 9th European Conference on Power Electronics and Applications
, Vol.9
, No.1
, pp.1
-5
(Aug, 2001)
-
[학술회의]
Min-Koo Han, 최연익, Byoung-Chul Jeon, Jae-Keun Oh, Moo-Sup Lim,
A new base resistance controlled thyristor employing trench gate and self-align corrugated p-base
, ISPSD(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
, Vol.13
, No.1
, pp.207
-210
(Jun, 2001)
-
[학술회의]
M.K. Han, 최연익, Y.S. Lee,
A lateral conductivity modulated thyristor(LCMT)
, 19th NSM
, Vol.19
, pp.108
(May, 2001)
-
[학술회의]
최연익, 김선호, 정상구,
Analytical model of the PN diodes with linearly doped epi layer
, 19th Nordic Semiconductor Meeting
, Vol.19
, No.1
, pp.97
(May, 2001)
-
[학술회의]
Min-Koo Han, 최연익, Byung-Chul Jeon, Jae-Keun Oh, Seung-Chul Lee,
Influence of process parameters on the maximum controllable current of corrugated BRT
, 19th NSM(Nordic Semiconductor Meeting)
, Vol.19
, pp.49
(May, 2001)
-
[학술회의]
정상구, 김형우, 최연익,
Breakdown voltage and on-resistance of the multi-resurf SOI LDMOSFET with recessed source
, 19 th Nordic Semiconductor Meeting
, Vol.19
, No.1
, pp.44
(May, 2001)
-
[학술회의]
Min-Koo Han, 최연익, Jae-Keun Oh, Seung-Chul Lee,
A new vertical channel LDMOS
, 19th NSM
, Vol.19
, pp.92
(May, 2001)
-
[학술회의]
정상구, 김민수, 최연익,
Analysis of temperature behavior of the NPT-IGBT's characteristics
, 19th Nordic Semiconductor Meeting
, Vol.19
, No.1
, pp.84
-84
(May, 2001)
-
[학술회의]
최연익, 김선호, 박일용, 정상구,
High Voltage SOI RESURF LDMOS with an Air Insulator
, The 10th Seoul International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications
, pp.73
-74
(Nov, 2000)
-
[학술회의]
최연익, 김선호, 김성룡, 김형우, 박일용, 정상구,
High voltage SOI RESURF LDMOS with an air insulator
, The 10th Seoul International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications
, Vol.10
, No.1
, pp.73
-74
(Nov, 2000)
-
[학술회의]
최연익, 유승진, 정상구,
Fablication and Characteristics of SOI IMPATT Diodes
, 5th International Seminar on Power Semiconductors
, No.1
, pp.139
-142
(Sep, 2000)
-
[학술회의]
정상구, 김형우, 최연익, 신동구,
Peripheral Structure of IGBT Terminated with Field Plate and Semi-resistive(SIPOS) Layer
, 5th International Seminar on Power Semiconductors
, No.1
, pp.223
-226
(Aug, 2000)
-
[학술회의]
정상구, 박일dyd], 최연익,
LDMOS with Uniform Drift Current Density by Employing Double Epi-Layer and Trenched Electrodes
, 5th International Seminar on Power Semiconductors
, No.1
, pp.243
-246
(Aug, 2000)
-
[학술회의]
최연익, 박일용, 정상구, 한민구,
Reachthrough PN diodes with nearly ideal breakdown voltage
, International Seminar on Power Semiconductors
, No.1
, pp.93
-96
(Aug, 2000)
-
[학술회의]
최연익, B.C. Jeon, D.Y.Kim, J.K.Oh, M.K.Han, Y.S.Lee,
Buried airgap structure for improving the breakdown voltage of SOI power MOSFET
, IPEMC2000(The 3rd International Power Electronics and Motion Control Conference)
, Vol.3
, No.1
, pp.1061
-1063
(Aug, 2000)
-
[학술회의]
M.K.Han, 최연익, W.O.Lee, Y.S.Lee,
The analytic models for temperature dependence of the breakdown voltage of 6H- and 4H-SiC rectifiers
, IPEMC'2000
, Vol.3
, No.1
, pp.1079
-1082
(Aug, 2000)
-
[학술회의]
최연익, Dae-Seok Byeon, Jae-Keun Oh, Jung-Hoon Chun, 한민구,
A fast-switching SOI SA-LIGBT without NDR region
, ISPSD(International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs)
, Vol.12
, No.1
, pp.149
-152
(May, 2000)
-
[학술회의]
최연익, Sang-Bok Yun,
Analytical expression for the breakdown voltage of the gated diodes
, MIEL'2000(22nd International Conference on Microelectronics)
, Vol.2
, pp.667
-669
(May, 2000)
-
[학술회의]
Min-Koo Han, 최연익, Byung-Chul Jeon, Dae-Seok Byeon, Jae-Keun Oh,
The experimental study on the temperature characteristics of the BRT and EST
, MIEL'2000(22nd International Conference on Microelectronics)
, Vol.2
, pp.645
-648
(May, 2000)
-
[학술회의]
최연익, Hoie-Yoon Yang, Sung-Lyong Kim,
A low on-resistance SOI LDMOS using a recessed source and a trench drain
, MIEL'2000(22nd International Conference on Microelectronics)
, Vol.2
, pp.641
-644
(May, 2000)
-
[학술회의]
최연익, Sung-Lyong Kim,
A low loss Schottky diodes with a linearly graded doping profile using ion-implantation and outdiffusion substrate
, MIEL'2000(22nd International Conference on Microelectronics)
, Vol.2
, pp.655
-657
(May, 2000)
-
[학술회의]
한민구, 최연익, 김두영, 변대석, 이유상,
A new lateral dual-gate thyrister with current saturation
, SSDM
, Vol.30
, No.1
, pp.122
-123
(Sep, 1999)
-
[학술회의]
정상구, 최연익, 정 용 성,
Temperature dependent effective ionization coefficient for Si
, LDSD'99
, pp.101
(Sep, 1999)
-
[학술회의]
정상구, 김성룡, 박일용, 최연익,
Linearly-graded surface doped SOI LDMOSFET with recessed source
, LDSD'99
, pp.132
(Sep, 1999)
-
[학술회의]
M.-K. Han, 최연익, D.-S. Byeon, J.-K. Oh,
Lateral dual channel emitter switched thyristor employing segmented p-base
, ISPSD'99
, Vol.11
, No.1
, pp.213
-216
(May, 1999)
-
[학술회의]
Min-Koo Han, 최연익, Dae-Seok Byeon, Won-Oh Lee, You-Sang Lee,
The maximum controllable current of improved base resistance controlled thyristor employing a self-aligned corrugated p-base
, ISPSD'99
, Vol.11
, No.1
, pp.229
-232
(May, 1999)
-
[학술회의]
M.K.Han, 최연익, B.H.Lee, C.M.Yun, D.S.Byeon, D.Y.Kim,
A lateral insulated gate bipolar transistor employing the self-align sidewall implanted n+ source
, IEDM(International Electron Device Meeting)
, pp.687
-690
(Dec, 1998)
-
[학술회의]
최연익, Il-Yong Park, Sun-Ho Kim,
Buried gate SOI LIGBT without latch-up susceptibility
, 1998 IEEE International SOI Conference
, No.1
, pp.57
-58
(Oct, 1998)
-
[학술회의]
최연익, Byeong-Hoon Lee, Dae-Seok Byeon, Doo-Young Kim, Jung-Hoon Chung, Min-Koo Han,
A novel SOI carrier-inducing barrier-controlled LIGBT with high switching speed
, SSDM
, Vol.98
, No.1
, pp.452
-453
(Sep, 1998)
-
[학술회의]
최연익, Dae-Seok Byeon, Doo-Young Kim, Min-Koo Han, Won-Oh Lee,
A novel lateral SOI BMFET in DMOS structure with Bipolar-FET operation
, PEMC(Power Electronics & Motion Control Conference)
, Vol.1
, No.1
(Sep, 1998)
-
[학술회의]
Min-Koo Han, 최연익, Byeong-Hoon Lee, Dae-Seok Byeon, Doo-Young Kim, Won-Oh Lee,
Study of the device characteristics of the base resistance controlled thyristor with the self-align corrugated p-base
, PEMC'98
, Vol.1
, No.1
(Sep, 1998)
-
[학술회의]
Min-Koo Han, 최연익, Byeong-Hoon Lee, Dae-Seok Byeon, Doo-Young Kim, Jae-Keun Oh,
A Dual-Gate Shorted-Anode SOI LIGBT with Floating Ohmic Contact for Suppressing Snapback
, ISPS
, Vol.4
, No.1
, pp.221
-225
(Sep, 1998)
-
[학술회의]
최연익, Byeong-Hoon Lee, Dae-Seok Byeon, Jung-Hoon Chun, Min-Koo Han,
A Novel Insulated Gate Bipolar Transistor exhibiting High Switching Characteristics
, ISPS(International Seminar on Power Semiconductors)
, Vol.4
, No.1
, pp.95
-98
(Sep, 1998)
-
[학술회의]
최연익, Byoung-Hoon Lee, Dae-Seok Byeon, Doo-Young Kim, Jung-Hoon Chun, Min-Koo Han,
The Suppression of Negative Differential Resistance Regime of the Separated Shorted-Anode LIGBT
, ISPS
, Vol.4
, No.1
, pp.199
-202
(Sep, 1998)
-
[학술회의]
Min-Koo Han, 최연익, Cheol-Min Park, Moo-Sup Lim,
Investigation of Field Emission Characteristics for Si-based Materials:Titanium Silicide, Poly-Si and Single Crystal Si
, IVMC
, Vol.11
, No.1
, pp.302
-303
(Jul, 1998)
-
[학술회의]
최연익, Cheol-Min Park, Min-Koo Han, Moo-Sup Lim,
Undoped Poly-Si Tip Lateral Field Emitter Arrays with Stable Anode Current by Self Current Limiting
, IVMC(International Vacuum Microelectronics Conference)
, Vol.11
, No.1
, pp.113
-114
(Jul, 1998)
-
[학술회의]
한민구, 최연익, 변대석, 이병훈,
The Improvement in Maximum Controlled Current of EST employment the Segmented P-Base(SB-EST)
, 18NSM
, Vol.18
, No.1
(Jun, 1998)
-
[학술회의]
한민구, 최연익, 변대석, 이병훈,
A Base Resistance Controlled Thyristor with the Self-Align Corrugated P-Base
, ISPSD'98
, Vol.10
, No.1
, pp.209
-212
(Jun, 1998)
-
[학술회의]
최연익, 김성룡, 양회윤,
A SOI LDMOS with an Elevated Internal Ring
, 18NSM
, Vol.18
, No.1
(Jun, 1998)
-
[학술회의]
한민구, 최연익, 김두영,
A Lateral Trench-MOS Bipolar-Mode FET on SOI
, 18NSM
, Vol.18
, No.1
(Jun, 1998)
-
[학술회의]
최연익, 박일용,
Trench Cathode IGBT with Improved Latch-up Characteristics
, 18NSM
, Vol.18
(Jun, 1998)
-
[학술회의]
최연익, 박일용,
Analytic Modeling of Breakdown Voltage for GaAs Schottky Diodes
, 18NSM(Nordic Semiconductor Meeting)
, Vol.18
, No.1
(Jun, 1998)
-
[학술회의]
한민구, 최연익, 김성동, 변대석, 이병훈, 전정훈,
Dual-Gate Shorted-Anode LIGBT with p+ injector eliminating the Negative Resistance Regime
, ISPSD'98
, Vol.10
, No.1
, pp.269
-272
(Jun, 1998)
-
[학술회의]
최연익, 김성동, 변대석, 이병훈, 이유상, 한민구,
The experimental investigation on the temperature characteristics for various lateral power devices for power ICs
, PCIM & HFPC Conference
, pp.15
-20
(Apr, 1998)
-
[학술회의]
최연익, 김두영, 변대석, 오재근, 전정훈, 한민구,
A bipolar static induction transistor with trench MOS gate for large current gain
, PCIM & HFPC Conference
, pp.53
-58
(Apr, 1998)
-
[학술회의]
한민구, 최연익, 김두영, 변대석, 이유상,
SB-EST: An emitter switched thyristor employing the segmented p-base
, PCIM & HFPC Conference
, pp.199
-204
(Apr, 1998)
-
[학술회의]
한민구, 최연익, 박철민, 임무섭,
A novel lateral field emission triode for microwave application
, MRS 1998 Spring Meeting
, No.509
, pp.25
-31
(Apr, 1998)
-
[학술회의]
한민구, 최연익, 박철민, 임무섭,
Comparison of lateral field emitter characteristics for titanium silicide, poly-Si and single crystal Si tip
, MRS 1998 Spring Meeting
, No.509
, pp.179
-185
(Apr, 1998)
-
[학술회의]
Min-Koo Han, 최연익, Doo-Young Kim, Jae-Keun Oh, You-Sang Lee,
The estimation and revision of barrier heights in 4H-SiC and 6H-SiC Schottky diodes
, MRS Spring Meeting
, Vol.512
, pp.175
-180
(Apr, 1998)
-
[학술회의]
최연익, Il-Yong Park, Dae-Seok Byeon, Min-Koo Han, You-Sang Lee,
The closed-form solutions for the breakdown voltages of 6H-SiC reachthrough diodes
, MRS Spring Meeting
, Vol.512
, pp.143
-148
(Apr, 1998)
-
[학술회의]
Min-Koo Han, 최연익, Chul-Min Park, Moo-Sup Lim,
New lateral field emitter arrays inherently integrated with thin film transistor
, MRS Spring Meeting
, Vol.509
, pp.9
-14
(Apr, 1998)
-
[학술회의]
최연익, 변대석, 이유상, 한민구,
Closed-form of breakdown voltage for 6H-silicon carbide
, MRS 1998 Spring Meeting
, pp.111
(Apr, 1998)
-
[학술회의]
최연익, 김성룡, 박일용, 정상구, 조중열,
Latch-up suppressed LIGBT with an n-type ring
, Proc. EPE`97
, Vol.1
, No.1
, pp.3027
-3030
(Sep, 1997)
-
[학술회의]
최연익, 김두영, 변대석, 한민구,
A novel lateral SOI BMFET with trench-diffused gate
, Proc. EPE`97
, Vol.1
, No.1
, pp.3065
-3069
(Sep, 1997)
-
[학술회의]
최연익, J.E.Pakr, 신진철, 이병훈, 이원오, 한민구,
A trench-gate SOI LIGBT with hole collector
, Proc. EPE`97
, Vol.1
, No.1
, pp.3070
-3075
(Sep, 1997)
-
[학술회의]
조중열, 최연익, K. Alt, K.L.Wang, 김동명,
Observation of resonances by individual energy levels in InGaAs/AlAs triple barrier RTD
, Extended Abstract of 1997 SSDM
, pp.240
-241
(Sep, 1997)
-
[학술회의]
최연익, 김두영, 김성동, 한민구,
A hybrid lateral SOI BMFET with high current gain
, Proc. Solid State Devices and Materials
, Vol.1
, No.1
, pp.164
-165
(Sep, 1997)
-
[학술회의]
최연익, 박철민, 임무섭, 한민구,
A Insitu vacuum encapsulated novel lateral field emitter triode with titanium cathode
, Proc. Solid State Devices and Materials
, Vol.1
, No.1
, pp.256
-257
(Sep, 1997)
-
[학술회의]
최연익, 박철민, 임무섭, 한민구,
A in-situ vacuum encapsulated novel lateral field emitter triode for microwave application
, Prc. International Vacuum Microelectronics Conference
, Vol.1
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, pp.176
-180
(Aug, 1997)
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[학술회의]
최연익, 민병혁, 박철민, 임무섭, 한민구,
A novel lateral field emitter triode with in-situ vacuum encapsulation
, The International Electron Devices Meeting
(Dec, 1996)
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최연익, 변대석, 한민구,
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[학술회의]
최연익, 김두용, 이병훈, 이원오, 한민구,
A new analytical model for dynamic latch-up in the SOI LIGBT
, The 3rd International Seminar on Power Semiconductors
, pp.151
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(Sep, 1996)
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[학술회의]
최연익, 김두용, 한민구,
Analytic Modeling of the breakdown voltage of the cylindrical punchthrough junction
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[학술회의]
최연익, 김두용, 이병훈, 한민구,
Optimization of the dirft length in SOI RESURF LDMOS : Analytic approach to the lateral breakdown
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최연익, 이병훈, 이원오, 임무섭, 한민구,
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최연익, 김재형, 윤종만, 한민구,
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[학술회의]
최연익, B.H.Lee, C.M.Yun, H.S.Kim, M.K.Han,
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최연익, Y.H.Cho, H.S.Kim, M.K.Han, S.D.Kim,
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- 국내학술발표
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[학술회의]
최연익, 김해미, 윤준호, 조중열,
원통형 PN 접합의 항복전압에 대한 근사식 및 민감도
, 2008 대한전기학회 전기물성응용부문회 Techno-Fair 및 추계학술대회 논문집
, Vol.1
, No.1
, pp.179
-180
(Oct, 2008)
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[학술회의]
최연익, 김해미, 윤준호, 조중열,
구형 PN 접합의 항복전압에 대한 소고
, 2008 대한전기학회 전기물성응용부문회 Techno-Fair 및 추계학술대회 논문집
, Vol.1
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, pp.127
-128
(Oct, 2008)
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[학술회의]
최연익, 서현석, 안희태, 조중열,
원통형 PN접합의 항복전압의 농도에 대한 민감도
, 2006년도 전기물성 응용 부문회 추계학술대회
, Vol.50
, No.2
, pp.59
-60
(Oct, 2006)
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[학술회의]
최연익, 이세경,
모놀리식 전력용 IC에서 다수의 항복전압을 가지는 RESURF LDMOST의 구현
, 2005년도 대한전기학회 전기 물성 응용부문회 추계학술대회
, Vol.50
, No.2
, pp.57
-59
(Nov, 2005)
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[학술회의]
한민구, 최연익, 지인환, 최영환,
수평형 에미터 스위치트 사이리스터의 단락회로 유지능력 향상을 위한 새로운 보호회로
, 2005년도 대한전기학회 전기 물성 응용부문회 추계학술대회
, Vol.50
, No.2
, pp.74
-76
(Nov, 2005)
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[학술회의]
정상구, 송세원, 최연익,
N+P+P-N+ 구조를 가진 Punch-through 다이오드의항복전압 특성
, 전기물성.응용부문회 추계학술대회
, Vol.1
, No.1
, pp.3
-5
(Nov, 2002)
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[학술회의]
정상구, 박동욱, 최연익,
최소 순방향 전압강하를 위한 NPT IGBT 의 최적게이트 길이 설계
, 전기물성.응용부문회 추계학술대회
, Vol.1
, No.1
, pp.9
-12
(Nov, 2002)
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[학술회의]
정상구, 최연익, 홍지훈,
Calculation of potimum cell spacing for minimum on-resistance of trench power MOSFET
, 전기물성.응용부문회 추계학술대회
, Vol.1
, No.1
, pp.13
-15
(Nov, 2002)
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[학술회의]
한민구, 최연익, 오재근, 전병철, 지인환,
Trench gate CB-BRT의 최대 제어 가능 전류에 대한 설계 변수들의 영향
, 대한전기학회 추계학술대회
, Vol.1
, No.1
, pp.153
-155
(Nov, 2002)
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[학술회의]
정상구, 최연익, 최이권,
Multi RESURF 구조를 갖는 LDMOS의 on 저항과 항복전압
, 전기물성.응용부문회 추계학술대회
, Vol.1
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, pp.156
-158
(Nov, 2002)
-
[학술회의]
한민구, 김수성, 최연익, 이유상, 전병철, 하민우,
수평형 애노드-스위칭 사이리스터(LAST)의 전류-전압 온도 특성
, 대한전기학회 추계학술대회
, Vol.1
, No.1
, pp.99
-101
(Nov, 2002)
-
[학술회의]
한민구, 최연익, 오재근, 하민우,
전력용 반도체 소자의 항복전압 특성을 개선한 얇은 실리콘 산화막 트렌치를 이용한 새로운 접합 마감
, 대한전기학회 하계학술대회 논문집 C
, Vol.2
, pp.1615
-1617
(Jul, 2002)
-
[학술회의]
한민구, 최연익, 김수성, 하민우,
Deep body contact을 이용한 unclamped inductive switching 특성을 향상시킨 새로운 MOSFET
, 대한전기학회 고전압 및 방전응용기술 연구회/전기재료 연구회 춘계학술대회
, Vol.1
, pp.216
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(Apr, 2002)
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[학술회의]
정상구, 문진우, 최연익,
Trench Schottky Diode with Guard Ring
, 추계학술대회
, Vol.2001
, No.1
, pp.26
-28
(Nov, 2001)
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[학술회의]
정상구, 김정희, 최연익,
Emitter Injection Efficiency of Gaussian Impurity Distributions in PT-IGBT
, 추계학술대회
, Vol.2001
, No.1
, pp.165
-167
(Nov, 2001)
-
[학술회의]
한민구, 최연익, 김수성, 오재근, 이승철,
순방향 안전 동작 영역 증가를 위한 수평형 LDMOS와 수평형 LIGBT를 직렬 연결한 구조
, 대한전기학회 전기물성응용 부문회 추계학술대회, pp.146-148, 2001. 11.
, Vol.50
, No.3
, pp.146
-148
(Nov, 2001)
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[학술회의]
정상구, 김정희, 최연익,
가우시안 농도 분포를 갖는 PT-IGBT의 에미터 주입 효율
, 대한전기학회 전기물성응용 부문회 추계학술대회
, Vol.50
, No.3
, pp.165
-167
(Nov, 2001)
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[학술회의]
한민구, 최연익, 전병철, 최승필,
이중 애노드 구조의 SOI LIGBT
, 대한전기학회 전기물성응용 부문회 추계학술대회
, Vol.50
, No.3
, pp.81
-83
(Nov, 2001)
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[학술회의]
정상구, 김정희, 최연익,
An SOI LDMOS with graded gate and recessed source
, 하계학술대회
, Vol.2001
, No.1
, pp.1451
-1453
(Jul, 2001)
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[학술회의]
한민구, 최연익, 오재근, 이승철, 전병철, 하민우,
분리된 단락 애노드와 플로팅오믹접합을 사용한 새로운 SOI 이중게이트 수평형 절연게이트 바이폴라트랜지스터
, 하계학술대회
, No.1
, pp.1343
-1345
(Jul, 2001)
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[학술회의]
한민구, 최연익, 오재근, 이승철,
수직 방향 채널 LDMOS
, 하계 학술대회
, No.1
, pp.1424
-1426
(Jul, 2001)
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[학술회의]
한민구, 최연익, 전병철, 최승필,
매립 공기층 구조를 갖는 SOI RESURF LDMOS의 항복전압 비교
, 대한전기학회 전기재료연구회 춘계학술대회 논문집
, Vol.10
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(May, 2001)
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[학술회의]
최연익, B.C.Jeon, M.K.Han, S.P.Choi,
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, 제8회 한국반도체학술대회
, Vol.8
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(Feb, 2001)
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[학술회의]
최연익, 김선호,
트렌치 드레인과 경사진 게이트를 갖는 SOI LDMOS
, 전기학회 하계학술대회
, No.1
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(Jul, 2000)
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[학술회의]
최연익, 유승진,
수평형 SOI IMPATT 다이오드의 시험제작
, 제7회 한국반도체학술대회
, Vol.7
, No.1
, pp.465
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(Jan, 2000)
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[학술회의]
최연익, 이유상, 한민구,
The Analytic Models for Temperature Dependence of The Breakdown Voltage of 6H- and 4H-SiC rectifiers
, 제7회 한국반도체학술대회
, Vol.7
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, pp.587
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(Jan, 2000)
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[학술회의]
최연익, 이병훈, 전정훈, 한민구,
A Novel SOI LIGBT with High Switching Speed
, 제7회 한국반도체학술대회
, Vol.7
, No.1
, pp.39
-40
(Jan, 2000)
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[학술회의]
최연익, 윤상복,
Buried ring이 있는 FLR(Field Limiting Ring)구조의 항복전압
, 하계학술대회
, No.1
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(Jul, 1999)
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[학술회의]
최연익, 양회윤,
Trench Drain과 Recessed Source를 갖는 SOI LDMOS
, 제6회 한국반도체학술회의
, Vol.6
, No.1
, pp.485
-486
(Feb, 1999)
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[학술회의]
최연익, 박일용,
펀치드루 Avalanche PN 다이오드의 항복전압에 대한 고찰
, 제6회 한국반도체 학술회의
, Vol.6
, No.1
, pp.483
-484
(Feb, 1999)
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[학술회의]
최연익, 양회윤,
실리콘의 식각깊이가 LOCOS 산화막에 미치는 영향
, 전기재료연구회 춘계학술대회
, No.1
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-194
(May, 1998)
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[학술회의]
최연익, 김선호, 박일용,
래치업 현상을 억제한 매몰게이트 SOI LIGBT
, 전기재료연구회 춘계학술대회
, No.1
, pp.183
-186
(May, 1998)
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[학술회의]
최연익, 윤상복,
산화막 전하가 전력 반도체 소자의 항복전압에 미치는 영향
, 전기재료연구회 춘계학술대회
, No.1
, pp.179
-182
(May, 1998)
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[학술회의]
한민구, 최연익, 이병훈, 이유상,
측방향 전력용 소자들의 온도 특성
, 제5회 한국반도체학술대회
, No.5
, pp.197
-198
(Feb, 1998)
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[학술회의]
최연익, 변대석, 이유상, 전정훈, 한민구,
자기정렬된 Corrugated P-베이스를 이용한 BRT
, 제5회 한국 반도체 학술대회
, No.5
, pp.193
-194
(Feb, 1998)
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[학술회의]
최연익, 박일용,
GaAs 쇼트키 정류기의 모델링
, `96 전력기술기초연구 학술발표 논문집
, Vol.1
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(Oct, 1997)
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[학술회의]
정상구, 신동구, 최연익, 한승엽,
SIPOS를 이용한 SOI RESURF 다이오드의 항복전압 특성
, 대한전기학회 창립50주년 하계학술대회 논문집
, Vol.1
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-1623
(Jul, 1997)
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[학술회의]
최연익, 김성룡, 양회윤,
경사진 Field Plate 구조 GaAs 쇼트키 다이오드
, 대한전기학회 창립 50주년 하계학술대회 논문집
, Vol.1
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-1620
(Jul, 1997)
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[학술회의]
최연익, 김성룡, 박일용,
경사진 게이트 산화막을 이용하여 항복특성이 개선된 SOI LIGBT
, 대한전기학회 전기재료연구회 춘계학술대회 논문집
, Vol.1
, No.1
, pp.151
-154
(Apr, 1997)
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[학술회의]
최연익, 김성룡, 박일용, 한민구,
융기된 내부링을 갖는 수평형 SOI IGBT
, 대한전기학회 전기재료연구회 춘계학술대회 논문집
, Vol.1
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, pp.143
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(Apr, 1997)
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[학술회의]
최연익, 박일용, 정상구,
리치드루 갈륨비소 쇼트키 다이오드의 항복전압 모델링
, 대한전기학회 전기재료연구회 춘계학술대회 논문집
, Vol.1
, No.1
, pp.147
-150
(Apr, 1997)
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[학술회의]
최연익, 박일용, 황규한,
고정된 소자치수를 갖는 Power MOSFET의 최적화
, 추계학술대회 논문집
, pp.457
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(Nov, 1996)
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[학술회의]
최연익, 박일용, 황규한,
고정된 소자치수를 갖는 전력 MOSFET의 최적화
, 대한전기학회 추계학술대회 논문집
, Vol.1
, No.11
, pp.457
-461
(Nov, 1996)
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[학술회의]
최연익, 김성룡, 박일용, 한민구,
경사진 드레인 산화막을 갖는 SOI RESURF LDMOS에 관한 연구
, 하계학술대회 논문집
, pp.1606
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(Jul, 1996)
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[학술회의]
최연익, 박일용, 황규한,
RESURF LDMOS와 VDMOS의 on 저항 비교연구
, 하계학술대회 논문집
, pp.1609
-1611
(Jul, 1996)
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[학술회의]
정진영, 최연익, 한승엽,
이중에피층을 갖는 쇼트키 다이오드의 항복전압 모형
, 하계학술대회 논문집
, pp.1612
-1614
(Jul, 1996)
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[학술회의]
최연익, 한승엽, 정용성,
GaAs 쇼트키 정류기의 항복전압 모델링
, 하계학술대회 논문집
, pp.1431
-1433
(Jul, 1996)
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[학술회의]
최연익, 김성동, 임무섭, 한민구,
SOI BMFET의 고온 특성분석
, 하계학술대회 논문집
, pp.1579
-1581
(Jul, 1996)
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[학술회의]
최연익, 박일용, 황규한,
단일마스크 셋을 사용한 여러가지 정격 전력 MOSFET의 최적설계방법
, 하계학술대회 논문집
, Vol.19
, No.1
, pp.289
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(Jun, 1996)
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[학술회의]
최연익, 김성룡, 한승엽,
RESURF형 SOI LDMOS의 해석적인 모형
, 하계학술대회 논문집
, Vol.19
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, pp.297
-300
(Jun, 1996)
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[학술회의]
최연익, 박일용, 황규한, 한민구,
융기된 내부링을 갖는 수평형 전력 MOSFET
, 춘계학술대회 논문집
, pp.78
-81
(Apr, 1996)
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[학술회의]
최연익, 박일용, 한민구,
경사진 게이트 산화막을 갖는 SOI LDMOS
, 춘계학술대회 논문집
, pp.74
-77
(Apr, 1996)
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[학술회의]
최연익, 김두영, 변대석, 윤종만, 한민구,
A latch-up characteristics of silicide cathode contact IGBTemploying self-aligned pocket implantation
, 제3회 한국반도체 학술대회 논문집
, pp.477
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(Feb, 1996)
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[학술회의]
최연익, 이병훈, 한민구,
A new analytical modeling for dynamic latch-up of LIGBT onthe SOI substrate
, 제3회 한국반도체 학술대회 논문집
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(Feb, 1996)
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[학술회의]
최연익, 나종민,
경사진 Field Plate을 갖는 SOI LDMOS에 관한 연구
, 추계학술대회 논문집
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최연익, B.H.Lee, M.K.Han,
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[학술회의]
최연익, D.S.Byeon, M.K.Han,
Analysis of the breakdown voltages of 6H silicon carbideparallel-plane p^+n junction and cylindrical junction
, International Conf. on Power Electronics
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(Oct, 1995)
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[학술회의]
최연익, 김재형, 한민구,
항복전압에 대한 3차원 효과를 고려한 전력 MOSFET의 최적 die설계
, 하계학술대회 논문집
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(Jul, 1995)
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[학술회의]
최연익, 변대석, 양경, 한민구,
Field plate가 장착되어 있는 원주형 접합의 최적 설계를 위한 해석적 해
, 제2회 한국반도체학술대회논문집
, pp.179
-180
(Feb, 1995)
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[학술회의]
최연익, 김재형, 김한수, 한민구,
경사산화막을 이용한 저농도 영역의 확장에 의한 항복전압
, 제2회 한국반도체 학술대회 논문집
, pp.181
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(Feb, 1995)
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[학술회의]
최연익, 윤종만, 한민구,
전류 제한 능력을 갖는 전력용 MOSFET의 mixed-mode 시뮬레이션
, 하계학술대회논문집
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-1453
(Jul, 1994)
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[학술회의]
최연익, 김두영, 김한수, 한민구,
원통형 접합경계를 갖는 punchthrough 다이오드의 항복전압에 대한 해석적 계산
, 하계학술대회논문집
(Jul, 1994)
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[학술회의]
최연익, 변대석, 한민구,
SOI 수평형 접합의 항복전압 향상을 위한 Negative Curvature(NC) 효과
, 제1회 한국반도체학술대회논문집
, pp.211
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(Feb, 1994)
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[학술회의]
라경만, 신진철, 최연익,
RESURF PN 다이오드의 항복전압과 최적 수평 길이에 대한 해석적인 표현
, 추계학술대회논문집
, Vol.16
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(Nov, 1993)
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[학술회의]
최연익, 김한수, 한민구,
Back-bias 효과에 의한 SOI 소자의 항복전압 특성
, 추계학술대회 논문집
, pp.178
-180
(Nov, 1993)
-
[학술회의]
최연익, 김두영, 이병훈, 한민구,
Selective N+ 버퍼층을 갖는 latch-up 억제를 위한 새로운 IGBT구조
, 추계학술대회 논문집
, pp.240
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(Nov, 1993)
-
[학술회의]
최연익, 라경만, 윤석남,
산화막의 경사창을 통한 이온주입을 이용한 고전압 pn 다이오드의 제작 및 특성
, 추계학술대회논문집
, Vol.16
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, pp.496
-498
(Nov, 1993)
-
[학술회의]
최연익, 변대식, 한민구,
SOI 수평형 접합의 항복전압 향상을 위한 Negative Curvature(NC) 효과
, 추계학술대회 논문집
, pp.243
-245
(Oct, 1993)
-
[학술회의]
최연익, 김한수, 변대석, 한민구,
분석적 모델을 이용한 floated field plate 구조가 있는 소자의시뮬레이션 개선
, 하계학술대회 논문집
, pp.1283
-1285
(Jul, 1993)
-
[학술회의]
최연익, 김수성, 김일중, 한민구,
Package 열저항을 고려한 전력용 MOSFET의 최소 die 면적 설계
, 하계학술대회논문집
, pp.1286
-1288
(Jul, 1993)
-
[학술회의]
문태훈, 신진철, 최연익,
SOI RESURF 다이오드의 항복전압
, 전자계산,반도체 재료 및 부품,캐드 연구회발표논문집
, pp.93
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(May, 1993)
-
[학술회의]
최연익, 강병로, 윤석남, 조영호,
SOI Schottky Diode의 제작 및 특성
, 전자계산,반도체,재료 및 부품,CAD연구회 발표논문집
, pp.158
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(May, 1993)
-
[학술회의]
최연익, 양경, 한민구,
Oxide Charge를 고려한 Field Plate의 해석 및 최적 설계
, 전기 재료연구회 학술대회 논문집
(May, 1993)
- 저서 및 번역
-
[저서]
김정훈, 최연익,
전기전자용어집(전력산업을 중심으로 한)
(Jul, 1999)
-
[저서]
김정훈, 최연익,
전기전자용어사전(전력산업을 중심으로 한)
(Jul, 1999)
-
[저서]
최연익,
두산세계 대백과 사전
(Jun, 1996)
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